Назад к списку
Учебно-научное объединение "Электроника"
Центры коллективного пользования
Контакты
119454, г. Москва, пр-т Вернадского, д. 78
+7 (495) 434 76 65

ЦКП позволяет реализовать научно-методическое и приборное обеспечение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ по формированию и исследованию функциональных наноматериалов для устройств микро-, оптоэлектроники и фотоники, проводить комплексные исследования их структуры и основных функциональных характеристик методами электронной, атомно-силовой, оптической и нелинейно-оптической сканирующей микроскопии, методами генерации второй оптической гармоники, оптической спектроскопии отражения/пропускания, однофотонной и двухфотонной люминесценции в широком диапазоне температур, а также методами спектроскопии временного разрешения и терагерцовой спектроскопии.

Методики

Совокупность опробованных и изученных методов и приемов для выполнения научного исследования.

  • Нелинейно-оптическая конфокальная микроскопия
  • Комплекс методик исследования структуры и свойств наноматериалов методом компьютерного моделирования
  • Комплекс методик исследования структуры методом сканирующей оптической микроскопии
  • Комплекс методик исследования структуры материалов методом рентгеноструктурного анализа
  • Комплекс методик исследования структуры материалов на основе электронной и зондовой микроскопии
  • Комплекс методик исследования параметров и характеристик приборов сверхвысокочастотной электроники
  • Методика исследования люминесценции в микро- и наноструктурированных материалах, в т.ч. в области низких температур
  • Комплекс методик исследования свойств тонких пленок и наноструктур методом генерации второй оптической гармоники
  • Методика фемтосекундной лазерной спектроскопии с высоким пространственным разрешением по одной угловой и двум линейным координатам
  • Методика механической (сухой) и химической (жидкостной) эксфолиации слоистых полупроводников
  • Методика оптического возбуждения-зондирования со сверхвысоким временным разрешением
  • Методика терагерцовой спектроскопии пропускания (0,5 - 5 ТГц)
  • Методика измерения характеристик элементов радиофотоники
Подписаться на рассылку