Материаловедение и металлургия
Контакты
119049, г. Москва, Ленинский пр-т, д. 4
+7 (495) 638 45 46

Научно-исследовательский центр материаловедческого профиля. Центр располагает уникальным комплексом современного аналитического оборудования, который предназначен для изучения элементного и фазового состава, структурного совершенства твердых тел, а также приповерхностных слоев и межфазных границ.

Оборудование

Анализатор температуропроводности LFA 457 MicroFlash  (Netzsch)
Анализатор температуропроводности LFA 457 MicroFlash (Netzsch)
Анализатор температуропроводности LFA 457 MicroFlash  (Netzsch)
Анализатор температуропроводности LFA 457 MicroFlash (Netzsch)
Назначение:
Предназначен для определения температуро- и теплопроводности твердых материалов методом лазерной вспышки.
Дифференциальный сканирующий калориметр DSC 404C Pegasus (Netzsch)
Дифференциальный сканирующий калориметр DSC 404C Pegasus (Netzsch)
Дифференциальный сканирующий калориметр DSC 404C Pegasus (Netzsch)
Дифференциальный сканирующий калориметр DSC 404C Pegasus (Netzsch)
Назначение:
Позволяет определять тепловые эффекты фазовых переходов, их температуры, а также теплоёмкость для широкого спектра конденсированных материалов. Измерения могут проводиться как в чистой газовой среде, так и в вакууме.
Комплекс оборудования для напыления тонких пленок Sunpla 40TM (установка магнетронного напыления)
Комплекс оборудования для напыления тонких пленок Sunpla 40TM (установка магнетронного напыления)
Комплекс оборудования для напыления тонких пленок Sunpla 40TM (установка магнетронного напыления)
Комплекс оборудования для напыления тонких пленок Sunpla 40TM (установка магнетронного напыления)
Назначение:
Предназначена для напыления металлических, диэлектрических и полупроводниковых материалов как простых веществ, так и сложных соединений.
Многоцелевой автоматизированный рентгеновский дифрактометр Bede D1 System (Bede Scientific Instruments)
Многоцелевой автоматизированный рентгеновский дифрактометр Bede D1 System (Bede Scientific Instruments)
Многоцелевой автоматизированный рентгеновский дифрактометр Bede D1 System (Bede Scientific Instruments)
Многоцелевой автоматизированный рентгеновский дифрактометр Bede D1 System (Bede Scientific Instruments)
Назначение:
Предназначен для исследования гетероэпитаксиальных структур. Рентгеновская дифракция в низком разрешении (количественный и качественный фазовый анализ порошков, построение полюсных фигур для анализа текстуры поликристаллов и поликристаллических пленок). Проведение качественного фазового анализа; Оценка структурного совершенства кристаллов; Анализ текстуры; Исследование тонкопленочных (в том числе многослойных) структур; Исследование квантово-размерных структур разной размерности (квантовые ямы, квантовые нити, квантовые точки); Определение структурных параметров наночастиц в тонких слоях; Изучение микродефектов и радиационных повреждений в монрокристаллах; Определение шероховатости поверхности и межслойных границ в гетероструктурах; Контроль качества обработки поверхности; Исследование поведения точечных дефектов в сильно неравновесных полупроводниковых системах (ионно-легированные кристаллы, облученные нейтронами объемные кристаллы).
Просвечивающий электронный микроскоп с системой приготовления образцов Gatan (прецизионное ионное утонение)
Просвечивающий электронный микроскоп с системой приготовления образцов Gatan (прецизионное ионное утонение)
Просвечивающий электронный микроскоп с системой приготовления образцов Gatan (прецизионное ионное утонение)
Просвечивающий электронный микроскоп с системой приготовления образцов Gatan (прецизионное ионное утонение)
Назначение:
Электронно-микроскопические исследования твердых тел.
Растровый электронный микроскоп с приставкой для катодолюминесценции
Растровый электронный микроскоп с приставкой для катодолюминесценции
Растровый электронный микроскоп с приставкой для катодолюминесценции
Растровый электронный микроскоп с приставкой для катодолюминесценции
Назначение:
Электронно-микроскопические исследования твердых тел
Растровый электронный микроскоп с холодноэмиссионной полевой электронной пушкой и приставкой для энергодисперсионного микроанализа JED-2300F (Jeol)
Растровый электронный микроскоп с холодноэмиссионной полевой электронной пушкой и приставкой для энергодисперсионного микроанализа JED-2300F (Jeol)
Растровый электронный микроскоп с холодноэмиссионной полевой электронной пушкой и приставкой для энергодисперсионного микроанализа JED-2300F (Jeol)
Растровый электронный микроскоп с холодноэмиссионной полевой электронной пушкой и приставкой для энергодисперсионного микроанализа JED-2300F (Jeol)
Назначение:
Электронно-микроскопические исследования твердых тел
Спектрометр сканирующий фотоэлектронный PHI VersaProbe II 5000 (Physical Electronics) с системой анализа поверхности органических, гибридных и биоматериалов в интервале температур.
Спектрометр сканирующий фотоэлектронный PHI VersaProbe II 5000 (Physical Electronics) с системой анализа поверхности органических, гибридных и биоматериалов в интервале температур.
Спектрометр сканирующий фотоэлектронный PHI VersaProbe II 5000 (Physical Electronics) с системой анализа поверхности органических, гибридных и биоматериалов в интервале температур.
Спектрометр сканирующий фотоэлектронный PHI VersaProbe II 5000 (Physical Electronics) с системой анализа поверхности органических, гибридных и биоматериалов в интервале температур.
Назначение:
Исследования химического состава поверхностей твердых тел
Сканирующий зондовый микроскоп MFP 3D Stand Аlone (Asylum Research)
Сканирующий зондовый микроскоп MFP 3D Stand Аlone (Asylum Research)
Сканирующий зондовый микроскоп MFP 3D Stand Аlone (Asylum Research)
Сканирующий зондовый микроскоп MFP 3D Stand Аlone (Asylum Research)
Назначение:
Позволяет решать задачи в области физики, химии, материаловедения, исследования полимеров, нанолитографии, биологии и количественного анализа поверхности на наномасштабе. Область сканирования: 90 мкм (в режиме замкнутой обратной связи);Размер образцов: до 8,6х3,8 см, что позволяет использовать стандартные предметные и покровные стекла; Уровень шума: не более 0,5 нм (в режиме замкнутой обратной связи) (вариация Аллана на полосе 0,1Гц – 1 кГц)
Сканирующий ионный микроскоп Strata 201 с микроманипулятором для подготовки мембран для просвечивающего микроскопа
Сканирующий ионный микроскоп Strata 201 с микроманипулятором для подготовки мембран для просвечивающего микроскопа
Сканирующий ионный микроскоп Strata 201 с микроманипулятором для подготовки мембран для просвечивающего микроскопа
Сканирующий ионный микроскоп Strata 201 с микроманипулятором для подготовки мембран для просвечивающего микроскопа
Назначение:
Локальное ионное травление поверхности образцов и ионностимулированное осаждение металлических и диэлектрических покрытий, приготовление образцов для просвечивающей электронной микроскопии
Комплекс оборудования ТеТеМ для послеростовой подготовки поверхности (фемтосекундная система; установка плазмохимической обработки)
Комплекс оборудования ТеТеМ для послеростовой подготовки поверхности (фемтосекундная система; установка плазмохимической обработки)
Комплекс оборудования ТеТеМ для послеростовой подготовки поверхности (фемтосекундная система; установка плазмохимической обработки)
Комплекс оборудования ТеТеМ для послеростовой подготовки поверхности (фемтосекундная система; установка плазмохимической обработки)