Назад к списку
Функциональный контроль и диагностика микро- и наносистемной техники
Центры коллективного пользования
Контакты
124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1, стр. 7
+7 (499) 740 90 11

ЦКП обеспечивает проведение научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ, исследований и экспериментов на научном, измерительном и испытательном оборудовании ЦКП в интересах НПК «Технологический центр», научных и образовательных учреждений, промышленных предприятий и организаций по техническим заданиям, типовым программам и методикам.

Методики

Совокупность опробованных и изученных методов и приемов для выполнения научного исследования.

  • ГАВЛ.60202.00006. Методика контроля электрических статических параметров микросхем в составе кремниевых пластин для определения функционирования на установке НР-82000 (США) с зондовой установкой
  • ГАВЛ.60202.00007. Методика контроля электрических параметров тестовых элементов микросхем на измерительном стенде AIK-TEST (Венгрия)
  • ГАВЛ.60202.00081. Методика контроля электрофизических параметров МДП-структур на основе измерения высокочастотных (ВЧ) вольт-фарадных характеристик (ВФХ) с помощью ртутного зонда (Параметры: напряжение плоских зон, ёмкость плоских зон, ёмкость диэлектрика, пороговое напряжение, эффективный заряд в диэлектрике, термополевая стабильность)
  • ГАВЛ.4081109.001 ПМ Методика выполнения измерений линейных размеров топологии поверхности пленочных и объемных микромеханических элементов тестовых структур МЭМС и НЭМС
  • ГАВЛ.4081109.002 ПМ Методика выполнения измерений амплитудно-частотных характеристик микромеханических элементов в составе тестовых структур МЭМС и НЭМС
  • ГАВЛ.60202.00024 Методика контроля функционирования и измерения электрических статических параметров микросхем в корпусном исполнении при нормальных климатических условиях с использованием установки НР-82000 (США) с программируемой рабочей станцией НР-700i (США)
  • ГАВЛ.60207.00001 Методика испытания микросхем на воздействие повышенной и пониженной температуры среды (термоциклирование)
  • ГАВЛ.60207.00002 Методика испытания микросхем при повышенной температуре (электротермотренировка) для выявления потенциально ненадежных микросхем.
  • ГАВЛ.408109.003ПМ Методика выполнения полуавтоматических измерений параметров топографии поверхности методами атомно-силовой микроскопии
  • ГАВЛ.4081109.004ПМ Методика выполнения измерений параметров поверхности средствами сканирующей туннельной микроскопии
  • ГАВЛ.4081109.005ПМ Методика исследования электрохимических свойств поверхности средствами сканирующей зондовой микроскопии
  • ГАВЛ.4081109.006ПМ Методика исследования электрофизических свойств поверхности средствами сканирующей зондовой микроскопии
  • ГАВЛ.60207.00003 Методика испытания микросхем на воздействие линейного ускорения до 30000g
  • ГАВЛ.60207.00015 Испытание микросхем на вибропрочность
  • ГАВЛ.60207.00012 Испытание микросхем на повышенной влажности воздуха (длительное и ускоренное)
  • ГАВЛ.60202.00134 Измерение характеристик пленок c помощью автоматической эллипсометрической измерительной системы SENDURO
  • ГАВЛ.60202.00135 Контроль параметров полупроводниковых пластин с помощью ИК Фурье-спектрометра
  • ГАВЛ.410109.10ПМ Методика измерений коэрцитивной силы магнитнорезистивных наноструктур
  • ГАВЛ.410109.11ПМ Методика измерений магниторезиствного эффекта тонкопленочных наноструктур
  • ГАВЛ.410109.12ПМ Методика измерений магнитострикции магнитнорезистивных наноструктур
  • ГАВЛ.410109.13ПМ Методика измерений поверхностного сопротивления тонкопленочных магнитнорезистивных наноструктур
  • ГАВЛ.410109.14ПМ Методика измерений поля магнитной анизотропии тонкопленочных магнитнорезистивных наноструктур
  • ГАВЛ.60202.00042 КЭП и ФК микросхем БМК при крайних значениях температур (НР82000-D50)
  • ГАВЛ.60202.00108 Контроль элементов тестовой полосы на пластине (АИК-ТЕСТ)
  • ГАВЛ.60207.00018 Испытание на воздействие одиночного удара