Назад к списку
Нанотехнология, наноматериалы, наноструктуры
Центры коллективного пользования
Контакты
125009, г. Москва, ул. Моховая, д. 11, корп. 7
+7 (495) 629 33 68

Нанотехнологический аналитический ЦКП «Нанотехнология, наноматериалы, наноструктуры» создан на базе Отдела физических основ наноэлектроники ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН и двух базовых кафедр МФТИ: твердотельной электроники и радиофизики и прикладных информационных технологий. Направления научных исследований: разработка и исследование наноструктурированных материалов и сред; разработка и исследование устройств молекулярной электроники; разработка технологии создания атомных поверхностных структур и исследование их физических свойств с атомным разрешением для создания устройств электроники следующего поколения; разработка и исследование углеродных наноматериалов и электронных устройств на их основе; разработка и исследование электронных наноструктур для создания на их основе различных сенсоров, в том числе химических и биологических датчиков; разработка и исследование магнитных наноструктур для устройств спинтроники и хранения информации со сверхплотной записью; разработка ионисторных накопителей энергии с высокой удельной энергоемкостью на основе новых высокопористых углеродных наноматериалов; разработка и исследование метаматериалов для создания устройств обработки информации.

Методики

Совокупность опробованных и изученных методов и приемов для выполнения научного исследования.

  • Технология изготовления и методы исследования низкоразмерных наноструктур с дискретным электронным спектром.
  • Методика измерения электрофизических характеристик квазиодномерных объектов при низких температурах.
  • Технология создания квазиодномерных кремниевых наноструктур из пластин кремния на изоляторе методами электронной литографии.
  • Технология получения низкоразмерных наноструктур с помощью фокусированных ионных пучков
  • Методика создания квазиодномерных наноструктур на основе полупроводниковых гетероструктур с двумерным электронным газом и экспериментальное изучение их проводимости
  • Технология создания молекулярных электронных наноструктур
  • Технология изготовления высококачественных туннельных переходов субмикронных размеров, и многослойных интегральных микросхем на их основе.
  • Получение наноотверстий на установке травления в фокусированных ионных пучках (FIB) SMI 3050
  • Методика измерения второй гармоники сверхпроводящей ток-фазовой зависимости джозефсоновских гетероструктур
  • Методика изготовления однобарьерных туннельных переходов сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник
  • Методика изготовления многослойных интегральных сверхпроводниковых микросхем
  • Методика изготовления фотошаблона с помощью электронного микроскопа с системой электронной литографии E-LINE производства компании RAITH
Подписаться на рассылку