НАНОДИАГНОСТИКА И МЕТРОЛОГИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ НАУКОЕМКИХ ТЕХНОЛОГИЙ. ЦКП Москвы - Объект

Назад к списку

Нанодиагностика и метрологическое обеспечение наукоемких технологий

Центры коллективного пользования

Контакты

119421, г. Москва, ул. Новаторов, д. 40, корп. 1

+7 (495) 935 97 77

http://www.nicpv.ru/ckp/

mail@nicpv.ru

Тематика научных исследований ЦКП НИЦПВ: фундаментальные и прикладные проблемно-ориентированные исследования особенностей взаимодействия измерительных зондов, пучков заряженных частиц, рентгеновского и оптического излучений с наноструктурированными объектами; разработка и создание методов и средств обеспечения единства измерений в нанотехнологиях, стандартизированных методик измерений и калибровки (поверки), стандартных образцов состава, структуры, размера и свойств; исследования способов повышения достоверности и точности измерений в нанотехнологиях.

Оборудование

Автоматизированный интерференционный микропрофилометр АИМ (ВНИИОФИ)

Назначение:: Измерение микрорельефа поверхности отражающих объектов, толщины тонких пленок, параметров шероховатости. Применяется в материаловедении, микроэлектронике.

Активно-виброизоляционный стенд для оптикомеханических и зондовых измерений

Назначение:: Аппаратура общего назначения для определения основных параметров вибрационных процессов

Дифрактометр высокого разрешения D8 DISCOVERY (Bruker)

Назначение:: Исследование кристаллической структуры твердотельных материалов. Определение качественного и количественного фазового состава и структуры твердых тел, параметров элементарной ячейки, микронапряжений в кристаллах. Рентгеноструктурный анализ кристаллических порошков. Возможность работы в режиме рефлектометра.

Инфракрасный Фурье-спектрометр Tensor 37 (Bruker)

Назначение:: Качественный и количественный анализ химического состава твердых и жидких тел, их идентификация, контроль концентрации О и С в Si пластинах, контроль качества лекарственных форм и сырья, криминалистический и биоклинический анализ. Использование ИК-микроскопа HYPERION позволяет довести локальность анализа до 10 мкм. Дополнительные возможности: анализ методом нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО).

Мера ширины и периода специальная МШПС-2.0К

Назначение:: Инструменты для измерения длины и угла

Модуль оптической профилометрии MicroXAM-100 (KLA-Tencor Corp.)

Назначение:: Предназначен для измерения неровностей поверхности оптическим методом. Для оценки неровности поверхности часто используют специальный показатель - шероховатость поверхности. Содержит шкалу, на которой и отсчитываются значения показателя шероховатости поверхности.

Просвечивающий электронный микроскоп JEM-2100 (JEOL)

Назначение:: Анализ микро- и наноструктуры твердотельных объектов, измерение линейных размеров деталей структуры, наблюдаемых на изображении, и межплоскостных расстояний в режиме дифракции. Применяется в материаловедении, микроэлектронике, геологии, биологии, металлургии и других отраслях науки и техники.

Профилометр интерференционный компьютерный ПИК-30 (ФГУП ВНИИОФИ)

Назначение:: Бесконтактные измерения различных глубин с использованием набора компактных оптических датчиков

Рамановский спектрометр высокого разрешения MICRO-S-RAMAN (Spectroscopy)

Назначение:: Анализ химического строения твердых и жидких тел, механических напряжений в полупроводниках, характеризация углеродных нанотрубок. Применяется в полупроводниковой, химической, фармацевтической отраслях промышленности, при исследовании полимеров.

Растровый электронный микроскоп JSM-6460LV (JEOL) с приставкой рентгеновского микроанализа INCAx-sight, приставкой регистрации спектров микро-катодолюминес-ценции MonoCL3 и приставкой регистрации дифракции обратно-рассеянных электронов

Растровый электронный микроскоп JSM-6460LV (JEOL) с приставкой рентгеновского микроанализа INCAx-sight, приставкой регистрации спектров микро-катодолюминес-ценции MonoCL3 и приставкой регистрации дифракции обратно-рассеянных электронов

Назначение:: Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур, элементный анализ от В до U с чувствительностью порядка 0,1 %, исследование спектров микрокатодолюминесцнции в диапазоне 300-900 нм с пространственным разрешением порядка 1 мкм в диапазоне температур 78 -300 К. Исследование дифракции обратно-рассеянных электронов для определения кристаллической структуры изучаемых объектов с локальностью несколько микрометров.

Растровый электронный микроскоп Quanta 200 (FEI Company)

Назначение:: Предназначен для измерения линейных размеров нанообъектов, элементного состава поверхности и спектров катодолюминесценции. Возможность измерения в высоком (10-5 Торр) и низком (до 1 Торр, для измерения диэлектрических образцов) вакууме. Регистрация истинно-вторичных и упруго-отраженных электронов.Диапазон ускоряющих напряжений 100 В – 30 кВ. Эффективный диаметр электронного зонда, согласно ГОСТ Р 8.636-2007: 30 нм. Приставка для изучения катодолюминесценции (Gatan) в диапазоне длин волн от 300 нм до 1000 нм при температуре образца от 80 К. Приставка для рентгеновского микроанализа (EDAX): энергодисперсионный и волновой спектрометры. Приставка для исследования дифракции обратно-рассеянных электронов.

Растровый электронный микроскоп S-4800 FE-SEM (HITACHI)

Назначение:: Предназначен для биомедицинских исследований и включающий комплексные методы оптической микроскопии для наблюдения за живыми системами, неорганическими, органическими и наноматериалами.

Сверхвысоковакуумный нанотехнический СЗМ-комплекс Nanofab-100 (НТ-МДТ)

Назначение:: Предназначен для исследования геометрических параметров и физико-химических свойств микро и нанообъектов на поверхности различных образцов (включая полупроводниковые пластины диаметром до 100 мм) методами сканирующей зондовой микроскопии в условиях сверхвысокого вакуума. Определяющая область применения - микро- и наноэлектроника (в том числе и в производственных условиях). Давление остаточной атмосферы в СЗМ камере- 5*10-8 Па, объем СЗМ-камеры -21 л,- возможность работы в АСМ и СТМ режимах, замена иглы сканирования без напуска атмосферы,- автоматическое позиционирование образцов в диапазоне 100*100 мм:- размер образцов – не более 100*15 мм,- диапазоны сканирования иглы – 3*3*2.6 мкм и 80*80*10 мкм,- разрешение в плоскости ХУ –не более 0,15 нм, в плоскости Z -0,1 нм,- возможность отжига образцов в вакууме.

Система лазерная измерительная ЛИС-01М

Назначение:: Предназначена для поверки и калибровки высокоточных средств измерений линейных перемещений и систем прецизионного позиционирования и сканирования, емкостных и индуктивных измерительных преобразователей, тензодатчиков, лазерных измерителей наноперемещений, первичных преобразователей акустико-эмиссионных систем неразрушающего контроля.Область применения: органы метрологической службы, испытательные и научно-производственные лаборатории.

Сканирующий зондовый микроскоп SOLVER P47H (НТ-МДТ)

Назначение:: Исследование физико-химических свойств поверхности нанообъектов и наноструктур с помощью современных методов зондовой микроскопии. Точность измерения перемещения (система сканирования) по вертикали 0,1 нм, в латеральном направлении – 1 нм.

Сканирующий зондовый микроскоп Интегра Аура (НТ-МДТ)

Назначение:: Интеграция методик атомно-силовой микроскопии (АСМ) с методикам спектроскопии комбинационного рассеяния. Установка предназначена для проведения исследования с нанометровым разрешением и предоставляет полную информацию о многочисленных поверхностных свойствах образца, таких как: рельеф, намагниченность, электрический потенциал и работа выхода, сила трения, пьезоотклик, упругость, емкость, ток растекания и многое другое.

Спектральный эллипсометрический комплекс 'ЭЛЛИПС-1891М' (ИФП РАН)

Назначение:: Предназначен для прецизионных измерений толщин тонких пленок, оптических параметров тонкопленочных структур и спектральных зависимостей оптических констант поверхностей различных материалов. Спектроэллипсометр отличается однозначностью вычисления эллипсометрических параметров: они измеряются в полном диапазоне их значений (Ψ - от 0 до 90 градусов; Δ - от 0 до 360 градусов) с одинаковой точностью и чувствительностью, что обеспечивает однозначную интерпретацию результатов измерений.

Установка для нанесения покрытий методом магнетронного распыления Q150 S_E_ES (Quorum Technologies)

Назначение:: Предназначена для нанесения покрытий из AU, Cr, AL, C с контролем толщины

Установка плазменной очистки PC-2000 (South Bay Technology)

Назначение:: Предназначена для очистки поверхностей в плазме тлеющего разряда

Электронно-ионный микроскоп JIB-4500 c микроманипулятором IB-32010FPUS (JEOL)

Назначение:: Предназначен для управляемого локального травления сфокусированным ионным пучком проводящих и непроводящих объектов с заданным рисунком. В совокупности с микроманипулятором IB-32010FPUS идеально подходит для оперативной подготовки образцов из выбранной области для исследования в ПЭМ. Прибор объединяет в себе растровый электронный микроскоп и растровый ионный микроскоп и оснащен системой локального нанесения С и W из газовой фазы.

Все оборудование