Назад к списку
Нанодиагностика и метрологическое обеспечение наукоемких технологий
Центры коллективного пользования
Контакты
119421, г. Москва, ул. Новаторов, д. 40, корп. 1
+7 (495) 935 97 77

Тематика научных исследований ЦКП НИЦПВ: фундаментальные и прикладные проблемно-ориентированные исследования особенностей взаимодействия измерительных зондов, пучков заряженных частиц, рентгеновского и оптического излучений с наноструктурированными объектами; разработка и создание методов и средств обеспечения единства измерений в нанотехнологиях, стандартизированных методик измерений и калибровки (поверки), стандартных образцов состава, структуры, размера и свойств; исследования способов повышения достоверности и точности измерений в нанотехнологиях.

Методики

Совокупность опробованных и изученных методов и приемов для выполнения научного исследования.

  • Отклонение рабочей поверхности кремниевой пластины от кристаллографической плоскости (100). Методика измерений с помощью рентгеновского дифрактометра D8 DISCOVER
  • Геометрические параметры кристаллических рельефных наноструктур. Методика измерений с помощью стенда для проведения предварительных испытаний кристаллических рельефных наноструктур
  • Размерные параметры наноструктурированных объектов. Методика измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа с регистрацией изображения на фотопленку
  • Геометрические параметры кристаллических рельефных наноструктур. Методика измерений с помощью измерительного стенда для выходного контроля параметров кристаллических рельефных наноструктур
  • Параметры шаговой структуры в тонком слое монокристаллического кремния. Методика измерений с помощью стенда для входного и пооперационного контроля процесса изготовления кристаллических рельефных наноструктур
  • Параметры наноструктурированных объектов. Методика измерений с помощью электроннозондового рентгеноспектрального микроанализа
  • Параметры наноструктурированных объектов. Методика измерений с помощью просвечивающей электронной микроскопии
  • Ширина верхнего основания поперечного среза трапецеидального рельефного элемента в монокристаллическом кремнии. Методика измерений с помощью измерительного стенда для испытаний экспериментальных образцов кристаллических рельефных наноструктур
  • Геометрические параметры кристаллических рельефных наноструктур. Методика измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Aura
  • Методика измерений и контроля параметров экспериментальных образцов кристаллических рельефных наноструктур. Радиусы скругления углов при верхнем основании рельефных элементов на поверхности кремниевых пластин
  • Ширина верхнего основания поперечного среза трапецеидального рельефного элементы кристаллической наноструктуры. Методика измерений с помощью измерительного стенда для испытаний экспериментальных образцов кристаллических рельефных наноструктур
  • Размер частиц наноструктурированного гидроксида магния. Методика измерений с помощью растрового электронного микроскопа
  • Степень интеркалированния (эксфолиации) слоистых силикатов в полимерной матрице. Методика измерений с помощью рентгеновского дифрактометра ARL X'TRA
  • Толщина наноразмерных пластин силикатов в полимерной матрице. Методика измерений с помощью растрового электронного микроскопа
  • Радиул скругления угла при верхнем основании рельефного элемента кристаллической рельефной наноструктуры. Методика измерений с помощью электронно-ионного микроскопа JIB 4500 и просвечивающего электронного микроскопа JEM-2100
  • Размер наночастиц керамик в полимерном материале (гранулах и пленке). Методика измерений с помощью растрового электронного микроскопа
  • ГСИ. Ориентировка крупных кристаллов на рентгеновском дифрактометре. Методика выполнения измерений рентгенодифракционным методом.
  • Неравномерность ширины верхнего основания кристаллической рельефной наноструктуры. Методика измерений с помощью растрового электронного микроскопа
  • Ширина верхнего основания и шаг трапецеидальных рельефных элементов в монокристаллическом кремнии. Методика измерений с помощью стенда для входного и пооперационного контроля процесса изготовления кристаллических рельефных наноструктур
  • ГСИ. Линейные и объемные дефекты в кристаллических структурах. Методика выполнения измерений с помощью двухкристального рентгеновского топографического спектрометра
  • ГСИ. Интегральные структурные параметры наночастиц и кластеров в моно- полидисперсных системах, толщина и период повторяемости в тонких пленках. Методика выполнения измерений с помощью малоуглового рентгеновского дифрактометра с позиционно-чувствительным детектором «АМУР-К»
  • ГСИ. Ориентация образца, параметры элементарной ячейки и симметрия монокристаллов в области температур 10-800К. Методика выполнения измерений с помощью четырехкружных рентгеновских дифрактометров Enraf-Nonius и Huber.
  • ГСИ. Фазовый анализ поликристаллов. Методика выполнения измерений с помощью координатного рентгеновского дифрактометра КАРД-6.
  • ГСИ. Высокоразрешающие пространственно-угловые рефлектометрические измерения. Методика выполнения измерений с помощью высокоразрешающего сканирующего рефлектометра.
  • ГСИ. Параметры структуры монокристаллов и сложных многослойных нанокомпозиций. Методика выполнения измерений рентгенодифракционным методом.
  • ГСИ. Гомогенность кристаллических объектов. Методика выполнения измерений методом двухкристальной рентгеновской дифрактометрии.
  • Методика измерений и контроля параметров кристаллических рельефных наноструктур. Линейные размеры проявленных в резисте структур и неравномерность ширины элементов резистивной маски на поверхности кремниевых пластин
  • ГСИ. Нарушенные слои и нанесенные покрытия. Методика выполнения измерений рентгеновским методом.
  • Методика измерений и контроля параметров кристаллических рельефных наноструктур. Линейные размеры структур в оксидной маске на поверхности кремниевых пластин
  • ГСИ. Линейные размеры объектов в диапазоне 2-100 мкм. Методика выполнения измерений на оптическом микроскопе Carl Zeiss E2
  • ГСИ. Спектральные показатели ослабления конденсированных сред в диапазоне длин волн 0,2-50 мкм. Методика выполнения измерений спектрофотометрическим методом.
  • ГСИ. Объемное и удельное сопротивления высокоомных кристаллических диэлектриков и полупроводников. Методика выполнения измерений.
  • ГСИ. Микротвердость материалов. Методика выполнения измерений микротвердости с помощью микротвердомера ПМТ-3.
  • ГСИ. Метрические параметры поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver P47.
  • ГСИ. Межплоскостные расстояния в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа EM-430ST.
  • ГСИ. Линейные размеры элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов. Методика выполнения измерений с помощью растровых электронных микроскопов JSM-840 и BS-340
  • ГСИ. Структура поверхности кристалла при дифракции электронов на отражение. Методика выполнения измерений электронографическим методом.
  • Параметры шероховатости сверхгладких поверхностей. Методика выполнения измерений рентгеновским методом
  • Параметры элементарной ячейки монокристаллов в области температур 90-490 К. Методика выполнения измерений с помощью рентгеновского дифрактометра Xcalibur S
  • Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа JSM-7401F геометрических параметров продукции нанотехнологий в диапазоне от 70 нм до 100 мкм
  • Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа JSM-7401F геометрических параметров продукции нанотехнологий в диапазоне от 5 нм до 100 нм
  • ГСИ. Межплоскостные расстояния в кристаллах в диапазоне 0,1 ÷ 60 нм. Распределение интенсивностей рефлексов в дифракционных картинах. Методика выполнения измерений с помощью электронографа ЭМР-102.
  • ГСИ. Параметры шероховатости сверхгладких поверхностей. Методика выполнения измерений рентгеновским методом.
  • Методика выполнения измерений с помощью ПЭМ Tecnai G² 30 S-TWIN геометрических параметров продукции нанотехнологий в диапазоне от 0,25 нм до 200нм
  • ГСИ. Межплоскостные расстояния в кристаллах в диапазоне 0,08 ÷ 60 нм; распределение интенсивностей в дифракционных картинах. Методика выполнения измерений с помощью электронографа ЭМР-102 (модернизированного)
  • ГСИ. Эффективная шероховатость поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver P47
  • ГСИ. Метрические параметры поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующей зондовой нанолаборатории Ntegra Prima
  • ГСИ. Ориентация образца, параметры элементарной ячейки и симметрия монокристаллов в области температур 90-490К. Методика выполнения измерений с помощью рентгеновского дифрактометра Xcalibur S
  • Диаметр микро- и нанообъектов сферической формы. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа Quanta 200
  • ГСИ. Пространственное распределение атомов в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью рентгеновского спектрометра АССВ.
  • ГСИ. Измерение линейных размеров объектов в режиме изображения и межплоскостных расстояний в режиме дифракции. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа Tecnai G2 30 S-TWIN с рентгеновским спектрометром фирмы EDAX
  • Период в непериодических структурах, состоящих из узких штрихов. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа
  • Линейные параметры отверстий в тонких мембранах. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа
  • Методика выполнения измерений геометрических параметров трехмерного распределения локального оптического поля на сканирующих микроскопах ближнего поля с использованием стандартных образцов наноструктур и фотонных кристалов
  • ГСИ. Линейные размеры элементов топологии микро-рельефа поверхности твердотельных материалов. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа JSM-7401F
  • ГСИ. Определение политипов монокристаллов карбида кремния. Методика выполнения измерений с помощью рентгеновского дифрактометра Xcalibur S с координатным детектором
  • ГСИ. Метрические параметры полимерных микро-капсул в водных суспензиях. Методика выполнения измерений с помощью оптического микроскопа Leica TCS SPE
  • ГСИ. Линейные размеры элементов топологии микро-рельефа поверхности твердотельных материалов, регистрируемые в ионных и электронных лучах. Методика выполнения измерений с помощью микроскопа Quanta 200 3D
  • Методика выполнения измерений геометрических параметров продукции нанотехнологий на сканирующих оптических микроскопах ближнего поля в режиме квазитрения
  • Метрические параметры поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующей зондовой нанолаборатории Ntegra Aura
  • Метрические параметры поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Aura
  • Эффективная высота шероховатости поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver P47
  • Метрические параметры поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver P47H
  • Линейные размеры микро- и нанообъектов. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа S-4800
  • Измерение линейных размеров объектов в режиме изображения и межплоскостных расстояний в режиме дифракции. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа JEM-2100
  • Метрические параметры поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Prima
  • Линейные размеры микро- и нанообъектов. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа Quanta 200
  • МВИ политипов монокристаллов карбида кремния с помощью рентгеновского дифрактометра Xcalibur S с координатным детектором
  • МВИ метрических параметров полимерных микрокапсул в водных суспензиях с помощью оптического микроскопа Leica TCS SPE
  • МВИ линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов, регистрируемых в ионных и электронных пучках с помощью микроскопа Quanta 200 3D
  • МВИ эффективной высоты шероховатости поверхности с помощью сканирующего зондового атомно-силового микроскопа
  • МВИ межплоскостных расстояний в кристаллах с помощью просвечивающего электронного микроскопа
  • МВИ межплоскостных расстояний в кристаллах и распределения интенсивностей в дифракционных картинах с помощью электронного дифрактометра
  • МВИ размерных параметров наночастиц и тонких пленок с помощью малоуглового рентгеновского дифрактометра
  • МВИ метрических параметров поверхности с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Aura
  • МВИ метрических параметров поверхности с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver P47H
  • МВИ линейных размеров микро- и нанообъектов с помощью растрового электронного микроскопа S-4800
  • МВИ линейных размеров объектов в режиме изображения и межплоскостных расстояний в режиме дифракции с помощью просвечивающего электронного микроскопа JEM-2100
  • МВИ эффективной шероховатости поверхности с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Prima
  • МВИ метрических параметров поверхности с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Prima
  • МВИ линейных размеров микро- и нанообъектов с помощью растрового электронного микроскопа Quanta 200
  • МВИ толщин слоев гетероструктур с помощью растрового электронного микроскопа JSM-7001F
  • МВИ распределения по глубине слоя нитрида галлия содержания кремния в структурах полупроводниковых светоизлучающих диодов на основе нитридов III группы
  • МВИ распределения по глубине слоя нитрида галлия содержания магния в структурах полупроводниковых светоизлучающих диодов на основе нитридов III группы
  • МВИ толщины диэлектрических пленок на пластинах кремния
  • МВИ относительной толщины пленки FeNiCo на кремниевой подложке
  • МВИ метрических параметров топографии поверхности полупроводниковых многослойных наногетероструктур с помощью атомно-силового микроскопа Dimension 3100
  • МВИ геометрических параметров наноразмерных полупроводниковых многослойных гетероструктур с помощью растрового электронного микроскопа JSM-7001F
  • МВИ химического состава наноразмерных структур на основе оксидов переходных металлов методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, а именно относительной доли атомов переходного металла с выбранной степенью окисления.
  • МВИ химического состава поверхности с помощью блока детектирования рентгеновского излучения кремниевого в составе растрового электронного микроскопа
  • МВИ локального химического состава трехкомпонентных тонких пленок твердых материалов методом электронной оже-спектроскопии, а именно мольных долей элементов, входящих в состав пленок
  • МВИ толщины однослойной тонкой пленки, а также суммарной толщины и размера межслоевого периода многослойных тонких пленок с помощью порошкового рентгеновского дифрактометра со спектрометрическим (энергодисперсионным) блоком детектирования рентгеновского излучения
  • МВИ мольной доли алюминия в эпитаксиальных пленках AlxGa1-xAs, выращенных на подложке GaAs, с помощью порошкового рентгеновского дифрактометра со спектрометрическим (энергодисперсионным) блоком детектирования рентгеновского излучения
  • МВИ локального электрического сопротивления наноматериалов и наноструктур с монотонной вольтамперной характеристикой с помощью сканирующего зондового атомно-силового микроскопа для электрофизических измерений, предназначенного для измерения электрического тока в диапазоне 100 пА-10 нА
  • МВИ межплоскостных расстояний в кристаллах по электронным микродифракционным картинам. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа
  • МВИ межплоскостных расстояний в кристаллах по электронным микродифракционным картинам. Методика выполнения измерений с помощью электронного дифрактометра (электронографа)
  • МВИ распределения по глубине монокристаллического кремния содержания бора
  • МВИ размеров частиц в жидкой суспензии с помощью автоматического анализатора Delsa Nano
  • МВИ локальной электрической емкостьи нанообъектов и наноструктур с шероховатостью поверхности (Rmax) не более 10 нм, электрическим сопротивлением не менее 1 ГОм и емкостью, постоянной в диапазоне приложенных напряжений от минус 10 В до 10 В, с помощью сканирующего зондового атомно-силового микроскопа для электрофизических измерений, предназначенного для измерений параметров электрического тока
  • МВИ вольт-апмперной характеристики наноструктур с абсолютным значением силы электрического тока, протекающего через наноструктуру, в диапазоне от 100 пА до 100 нА при изменении приложенного напряжения в диапазоне от минус 10 В до 10 В, с помощью сканирующего зондового атомно-силового микроскопа для электрофизических измерений.
  • МВИ эффективной высоты шероховатости поверхности с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver Р47
  • МВИ диаметра микро- и нанообъектов сферической формы с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Prima
  • МВИ диаметров верхнего и нижнего отверстий в мембранах известной толщины с помощью растрового электронного микроскопа
  • МВИ периода структур, состоящих из узких штрихов, с помощью растрового электронного микроскопа
  • МВИ диаметра микро- и нанообъектов сферической формы с помощью растрового электронного микроскопа
  • МВИ межплоскосных расстояний в режиме дифракции и линейных размеров объектов в режиме изображения с помощью просвечивающего электронного микроскопа
  • МВИ линейных размеров (диаметра и длины) углеродных нанотрубок с помощью растрового электронного микроскопа
  • МВИ линейных размеров (диаметра и длины) углеродных нанотрубок с помощью растрового электронного микроскопа JSM-7401F
  • МВИ эффективной высоты шероховатости сверхгладких поверхностей подложек
  • МВИ параметров элементарной ячейки монокристаллов
  • МВИ геометрических параметров продукции нанотехнологий на сканирующих оптических микроскопах ближнего поля в режиме квазитрения
  • МВИ геометрических параметров трехмерного распределения локального оптического поля на сканирующих оптических микроскопах ближнего поля с использованием стандартных образцов наноструктур и фотонных кристаллов
  • МВИ массовых долей элементов однородных по составу пленок толщиной от 10 нм до 100 нм на подложке, состоящей из элементов отличных от элементов пленки, методом электронно-зондового рентгеноспектрального микроанализа с использованием спектрометрического (энергодисперсионного) блока детектирования рентгеновского излучения и массивных однородных образцов в качестве стандартных образцов
  • Межплоскостные расстояния в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа по электронным нанодифракционным картинам
  • Межплоскостные расстояния в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа по электронным микродифракционным картинам
  • ГОСТ Р 8.629-2007 Государственная система обеспечения единства измерений. Меры рельефные нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов. Методика поверки
  • ГОСТ Р 8.630-2007 Государственная система обеспечения единства измерений. Микроскопы сканирующие зондовые атомно-силовые измерительные. Методика поверки
  • ГОСТ Р 8.631-2007 Государственная система обеспечения единства измерений. Микроскопы электронные растровые измерительные. Методика поверки
  • ГОСТ Р 8.635-2007 Государственная система обеспечения единства измерений. Микроскопы сканирующие зондовые атомно-силовые. Методика калибровки
  • ГОСТ Р 8.636-2007 Государственная система обеспечения единства измерений. Микроскопы электронные растровые. Методика калибровки
  • ГОСТ Р 8.644-2008 Государственная система обеспечения единства измерений. Меры рельефные нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов. Методика калибровки
  • ГОСТ 8.591-2009 Государственная система обеспечения единства измерений. Меры рельефные нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов. Методика поверки
  • ГОСТ 8.593-2009 Государственная система обеспечения единства измерений. Микроскопы сканирующие зондовые атомно-силовые. Методика поверки
  • ГОСТ 8.594-2009 Государственная система обеспечения единства измерений. Микроскопы электронные растровые. Методика поверки
  • ГОСТ Р 8.696-2010 Государственная система обеспечения единства измерений. Межплоскостные расстояния в кристаллах и распределение интенсивностей в дифракционных картинах. Методика выполнения измерений с помощью электронного дифрактометра
  • ГОСТ Р 8.697-2010 Государственная система обеспечения единства измерений. Межплоскостные расстояния в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа
  • ГОСТ Р 8.698-2010 Государственная система обеспечения единства измерений. Размерные параметры наночастиц и тонких пленок. Методика выполнения измерений с помощью малоуглового рентгеновского дифрактометра
  • ГОСТ Р 8.700-2010 Государственная система обеспечения единства измерений. Методика измерений эффективной высоты шероховатости поверхности с помощью сканирующего зондового атомно-силового микроскопа
  • ГСИ. Акустико-эмиссионные информационно-измерительные комплексы Лель/A-Line 32D (DDM). Методика Поверки МП 12-03
  • Методика поверки. Оптический микроскоп AxioImager m2M
  • Государственная система обеспечения единства измерений. Преобразователи акустической эмиссии. Методика поверки. МИ 3124-2008