Назад к списку
Комплекс КАМИКС
Уникальные научные установки
Контакты
117218, г. Москва, ул. Большая Черемушкинская, д. 25
+7 (499) 789 63 74

В состав УНУ входит комплекс современного аналитического оборудования. Комплекс включает в себя следующие уникальные исследовательские установки: атомно-зондовый томограф ECOTAP (CAMECA); атомно-зондовый томограф ПАЗЛ-3D (ИТЭФ) с фемтосекундным лазерным испарением; сканирующий зондовый микроскоп MULTIMODE NANOSCOPE III (VEECO); сканирующий мульти-микроскоп СММ-2000; профилометр модели 130; позитронная аннигиляционная спектроскопия (ПАС). А также набор вспомогательного оборудования для пробоподготовки: просвечивающий электронный микроскоп JEM JEOL 1200 EX; установка для электрохимического травления TenuPol-5; шлифовально-полировальный станок с регулируемой скоростью вращения LaboPol-5; электроэрозионный станок ВЭСТ-240-3 с ЧПУ ДГТ 735. Совокупность приборной базы УНУ, развитых методик, а также навыков и компетенций в области ядерно-физических микроскопических исследований конденсированных сред позволяет проводить комплекс мероприятий, начиная с подготовки образцов из массивных фрагментов материала, и заканчивая интерпретацией и анализом полученных экспериментальных данных.

Направления научной деятельности

Направления научных исследований, проводимых в УНУ.

  • Исследования тонкой структуры материалов, в том числе гетерогенных и наноструктурированных (перспективные стали и сплавы, дисперсионно твердеющие и дисперсноупрочненные оксидами стали, сплавы на основе V, Ti, модельные бинарные сплавы типа FeCr, микропровода, оксидные пленки на поверхности металлов и т.д.)
  • Анализ радиационной стойкости перспективных реакторных и термоядерных конструкционных материалов с применением облучения пучками тяжелых ионов и последующего атомномасштабного анализа перестройки структурнофазового состояния облученных материалов
  • Исследования модельных сплавов в условиях воздействия термических и радиационных полей
  • Исследования наноструктурных изменений материалов, при модификации приповерхностных слоев и создания наноструктурированных областей с использованием ионных пучков
  • Определение наличия дефектов вакансионного типа (вакансий, дивакансий, вакансионных комплексов и т.д.) в кристаллических материалах, либо свободного объема в молекулярных средах (например, в полимерах)
  • Определение констант скорости химических реакций первичных радиолитических продуктов на ранней стадии процесса радиолиза среды
  • Изучение морфологии поверхностей, объектов на подложках, например, наночастиц, биологических объектов и др.
Подписаться на рассылку