Центр по исследованию высокотемпературных сверхпроводников и других сильнокоррелированных электронных систем
Контакты
119991, г. Москва, Ленинский пр-т, д. 53
+7 (499) 132 67 48

Цель деятельности ЦКП состоит в предоставлении широкому кругу научных пользователей возможности проведения экспериментальных исследований на комплексе научного оборудования ЦКП, позволяющего создавать экстремальные условия сверхнизких температур, сильных магнитных полей и воздействовать на изучаемые материалы и структуры с помощью высоких давлений и сильных электрических полей.

Оборудование

Измерительная установка  '0.3К_21Тл' для измерений проводимости, магнитосопротивления и магнитной восприимчивости в магнитном поле 21Тл при температурах 0,3-300К.
Измерительная установка '0.3К_21Тл' для измерений проводимости, магнитосопротивления и магнитной восприимчивости в магнитном поле 21Тл при температурах 0,3-300К.
Измерительная установка  '0.3К_21Тл' для измерений проводимости, магнитосопротивления и магнитной восприимчивости в магнитном поле 21Тл при температурах 0,3-300К.
Измерительная установка '0.3К_21Тл' для измерений проводимости, магнитосопротивления и магнитной восприимчивости в магнитном поле 21Тл при температурах 0,3-300К.
Назначение:
Установка предназначена для измерения проводимости, намагниченности и магнитной восприимчивости материалов в диапазоне температур 0,3К-300К и в стационарных полях до 21Т
Измерительная установка - автоматизированный СКВИД-магнитометр MPMS-7 (в составе УНУ "ЭКСТРИМ")
Измерительная установка - автоматизированный СКВИД-магнитометр MPMS-7 (в составе УНУ "ЭКСТРИМ")
Измерительная установка - автоматизированный СКВИД-магнитометр MPMS-7 (в составе УНУ "ЭКСТРИМ")
Измерительная установка - автоматизированный СКВИД-магнитометр MPMS-7 (в составе УНУ "ЭКСТРИМ")
Назначение:
Измерения магнитной восприимчивости и намагниченности в диапазоне температур 1,9 – 400К и полей до 7Т. Порог чувствительности: 2*10-8 emu
Измерительная установка СКВИД-магнитометр
Измерительная установка СКВИД-магнитометр
Измерительная установка СКВИД-магнитометр
Измерительная установка СКВИД-магнитометр
Назначение:
Измерение магнитного момента в диапазоне температур 2 - 350К и полей 0 - 0,25Т. Порог чувствительностьи по магнитному моменту 2*10-9 emu при H = 0 T и 10-7 emu при H = 0,25Т
Интерференционный микроскоп ЛЮМАМ И-3 (ЛОМО)
Интерференционный микроскоп ЛЮМАМ И-3 (ЛОМО)
Интерференционный микроскоп ЛЮМАМ И-3 (ЛОМО)
Интерференционный микроскоп ЛЮМАМ И-3 (ЛОМО)
Назначение:
Предназначен для оптического контроля качества микрообъектов и пленок
Инфракрасный Фурье-спектрометр высокого разрешения
Инфракрасный Фурье-спектрометр высокого разрешения
Инфракрасный Фурье-спектрометр высокого разрешения
Инфракрасный Фурье-спектрометр высокого разрешения
Назначение:
Измерения оптических спектров пропускания и отражения в ИК диапазоне (1мкм-1мм), в диапазоне температур 3 - 300К.
Комплекс аппаратуры  для изготовления полевых МДП структур
Комплекс аппаратуры для изготовления полевых МДП структур
Комплекс аппаратуры  для изготовления полевых МДП структур
Комплекс аппаратуры для изготовления полевых МДП структур
Назначение:
Комплекс предназначен для создания МДП-структур на поверхности образцов любых веществ, с целью изучения влияния сильного электрического поля на их поверхностные свойства
Комплекс аппаратуры для измерений транспортных свойств материалов в диапазоне давлений 0-3ГПа (в составе УНУ ЭКСТРИМ;)
Комплекс аппаратуры для измерений транспортных свойств материалов в диапазоне давлений 0-3ГПа (в составе УНУ ЭКСТРИМ;)
Комплекс аппаратуры для измерений транспортных свойств материалов в диапазоне давлений 0-3ГПа (в составе УНУ ЭКСТРИМ;)
Комплекс аппаратуры для измерений транспортных свойств материалов в диапазоне давлений 0-3ГПа (в составе УНУ ЭКСТРИМ;)
Назначение:
Немагнитные камеры гидростатического давления (до 3ГПа) для транспортных измерений
Комплект оборудования для твердофазного синтеза, включая: планетарную мельницу; прибор для обработки металлов в атмосфере аргона; пилу алмазную настольную
Комплект оборудования для твердофазного синтеза, включая: планетарную мельницу; прибор для обработки металлов в атмосфере аргона; пилу алмазную настольную
Комплект оборудования для твердофазного синтеза, включая: планетарную мельницу; прибор для обработки металлов в атмосфере аргона; пилу алмазную настольную
Комплект оборудования для твердофазного синтеза, включая: планетарную мельницу; прибор для обработки металлов в атмосфере аргона; пилу алмазную настольную
Назначение:
Предназначена для твердофазного синтеза высокотемпературных сверхпроводников
Многофункциональная измерительная  криомагнитная  установка CFMS-16
Многофункциональная измерительная криомагнитная установка CFMS-16
Многофункциональная измерительная  криомагнитная  установка CFMS-16
Многофункциональная измерительная криомагнитная установка CFMS-16
Назначение:
Измерение электрических, магнитных и тепловых свойств твердых тел
Многофункциональный автоматизированный комплекс PPMS-9 для проведения электрических, магнитных и температурных измерений свойств материалов (в составе УНУ ЭКСТРИМ;)
Многофункциональный автоматизированный комплекс PPMS-9 для проведения электрических, магнитных и температурных измерений свойств материалов (в составе УНУ ЭКСТРИМ;)
Многофункциональный автоматизированный комплекс PPMS-9 для проведения электрических, магнитных и температурных измерений свойств материалов (в составе УНУ ЭКСТРИМ;)
Многофункциональный автоматизированный комплекс PPMS-9 для проведения электрических, магнитных и температурных измерений свойств материалов (в составе УНУ ЭКСТРИМ;)
Назначение:
Многофункциональная автолматизированная установка для измерений проводимости, восприимчивости, теплемкости, намагниченности в диапазоне температур 0,3 - 500К и в полях до 9Т
Рентгеновский дифрактометр X’Pert PRO MRD ('PANAlytical)
Рентгеновский дифрактометр X’Pert PRO MRD ('PANAlytical)
Рентгеновский дифрактометр X’Pert PRO MRD ('PANAlytical)
Рентгеновский дифрактометр X’Pert PRO MRD ('PANAlytical)
Назначение:
Исследование тонких структурных особенностей монокристаллов и гетероэпитаксиальных пленок
Сдвоенные герметичные перчаточные боксы со шлюзами, муфельной печью, шаровой мельницей, аналитическими весами
Сдвоенные герметичные перчаточные боксы со шлюзами, муфельной печью, шаровой мельницей, аналитическими весами
Сдвоенные герметичные перчаточные боксы со шлюзами, муфельной печью, шаровой мельницей, аналитическими весами
Сдвоенные герметичные перчаточные боксы со шлюзами, муфельной печью, шаровой мельницей, аналитическими весами
Назначение:
Двойной герметичный бокс с интегрированной газоочистительной системой предназначен для работы с химически активными веществами, а также соединениями, чувствительными к содержанию кислорода, либо следов влаги в атмосфере. Бокс используется при проведении синтеза химически активных соединений в атмосфере аргона
Система измерения магнитных свойств на переменном токе на основе моста с перестраиваемой частотой АН 2700С
Система измерения магнитных свойств на переменном токе на основе моста с перестраиваемой частотой АН 2700С
Система измерения магнитных свойств на переменном токе на основе моста с перестраиваемой частотой АН 2700С
Система измерения магнитных свойств на переменном токе на основе моста с перестраиваемой частотой АН 2700С
Назначение:
Предназначена для измерения магнитных свойств полупроводниковых гетероструктур
Сканирующий зондовый микроскоп
Сканирующий зондовый микроскоп
Сканирующий зондовый микроскоп
Сканирующий зондовый микроскоп
Назначение:
Для иссследования геометрического и потенциального рельефа поверхности образцов
Установка - вибрационный магнитометр для измерений намагниченности в полях до 21Тесла и в диапазоне температур 1,4 - 300К (в составе УНУ ЭКСТРИМ)
Установка - вибрационный магнитометр для измерений намагниченности в полях до 21Тесла и в диапазоне температур 1,4 - 300К (в составе УНУ ЭКСТРИМ)
Установка - вибрационный магнитометр для измерений намагниченности в полях до 21Тесла и в диапазоне температур 1,4 - 300К (в составе УНУ ЭКСТРИМ)
Установка - вибрационный магнитометр для измерений намагниченности в полях до 21Тесла и в диапазоне температур 1,4 - 300К (в составе УНУ ЭКСТРИМ)
Назначение:
Измерение намагниченности методом вибрационного магнитометра
Установка Helios NanoLab 660 для нанолитографии
Установка Helios NanoLab 660 для нанолитографии
Установка Helios NanoLab 660 для нанолитографии
Установка Helios NanoLab 660 для нанолитографии
Назначение:
Предназначена для нанолитографии с помощью фокусированного ионного пучка (Ga) и электронного луча
Установка для  подготовки образцов к измерениям  методом  ультразвуковой микросварки
Установка для подготовки образцов к измерениям методом ультразвуковой микросварки
Установка для  подготовки образцов к измерениям  методом  ультразвуковой микросварки
Установка для подготовки образцов к измерениям методом ультразвуковой микросварки
Назначение:
Ультразвуковая микросварка тонких (10-50мкм) проволочных подводов к исследуемым образцам
Установка для выращивания стандартных образцов высокосовершенных монокристаллов методом бестигельной зонной плавки с оптическим нагревом
Установка для выращивания стандартных образцов высокосовершенных монокристаллов методом бестигельной зонной плавки с оптическим нагревом
Установка для выращивания стандартных образцов высокосовершенных монокристаллов методом бестигельной зонной плавки с оптическим нагревом
Установка для выращивания стандартных образцов высокосовершенных монокристаллов методом бестигельной зонной плавки с оптическим нагревом
Назначение:
Печь для бестигельного роста кристаллов в атомсфере инертных газов с оптическим нагревом до 2000С
Установка для измерений температурной зависимости химического потенциала в диапазоне температур  4,2-300К
Установка для измерений температурной зависимости химического потенциала в диапазоне температур 4,2-300К
Установка для измерений температурной зависимости химического потенциала в диапазоне температур  4,2-300К
Установка для измерений температурной зависимости химического потенциала в диапазоне температур 4,2-300К
Назначение:
Приборы для измерения и регулирования температуры и потоков тепла
Установка для измерений при сверхнизких температурах до 10мК, в диапазоне частот до 20ГГц
Установка для измерений при сверхнизких температурах до 10мК, в диапазоне частот до 20ГГц
Установка для измерений при сверхнизких температурах до 10мК, в диапазоне частот до 20ГГц
Установка для измерений при сверхнизких температурах до 10мК, в диапазоне частот до 20ГГц
Назначение:
Установка предназначена для измерения параметров элементов наноэлектроники, ячеек квантовой логики, наномеханики, нанофотоники и квантовой метрологии при сверхнизких температурах и в диапазоне частот до 20ГГц
Установка для напыления пленок PLD_MBE модель PVD-2300 (PVD)
Установка для напыления пленок PLD_MBE модель PVD-2300 (PVD)
Установка для напыления пленок PLD_MBE модель PVD-2300 (PVD)
Установка для напыления пленок PLD_MBE модель PVD-2300 (PVD)
Назначение:
Установка предназначена для напыления пленок методом лазерного испарения в вакууме с использованием эксимерного лазера
Установка для рентгеноструктурного анализа Rigaku Miniflex 600
Установка для рентгеноструктурного анализа Rigaku Miniflex 600
Установка для рентгеноструктурного анализа Rigaku Miniflex 600
Установка для рентгеноструктурного анализа Rigaku Miniflex 600
Назначение:
Предназначена для рентгеноструктурного анализа материалов
Установка плазмохимической очистки
Установка плазмохимической очистки
Установка плазмохимической очистки
Установка плазмохимической очистки
Назначение:
Предназначена для очистки и обработки поверхности наноструктур в кислородной плазме низкой плотности (с блоком генерации сверхчистого кислорода (99,999%) Кулон-10К).
Установка по измерению переходных процессов в ВТСП устройствах и измерению критических токов в длинномерных ВТСП проводах
Установка по измерению переходных процессов в ВТСП устройствах и измерению критических токов в длинномерных ВТСП проводах
Установка по измерению переходных процессов в ВТСП устройствах и измерению критических токов в длинномерных ВТСП проводах
Установка по измерению переходных процессов в ВТСП устройствах и измерению критических токов в длинномерных ВТСП проводах
Назначение:
Испытание сверхпроводящих устройств диаметром до 0.9м и высотой до 1.2м испытание сверхпроводящих материалов в полях до 8Т, при токах до 1кА испытание ВТСП материалов и устройств с ВТСП элементами на переменном токе до 0.5кА
Установка для лазерной литографии, включая генератор изображения лазерный Heidelberg mPG101, с антивибрационным гранитным столом; блоками нанесения и сушки фоторезиста
Установка для лазерной литографии, включая генератор изображения лазерный Heidelberg mPG101, с антивибрационным гранитным столом; блоками нанесения и сушки фоторезиста
Установка для лазерной литографии, включая генератор изображения лазерный Heidelberg mPG101, с антивибрационным гранитным столом; блоками нанесения и сушки фоторезиста
Установка для лазерной литографии, включая генератор изображения лазерный Heidelberg mPG101, с антивибрационным гранитным столом; блоками нанесения и сушки фоторезиста
Назначение:
Предназначена для лазерной литографии для производства микросхем
Электронный растровый микроскоп c приставками  для измерения катодолюминесценции и элементного анализа методом EDS
Электронный растровый микроскоп c приставками для измерения катодолюминесценции и элементного анализа методом EDS
Электронный растровый микроскоп c приставками  для измерения катодолюминесценции и элементного анализа методом EDS
Электронный растровый микроскоп c приставками для измерения катодолюминесценции и элементного анализа методом EDS
Назначение:
Наблюдения структуры поверхности образца с разрешением 2нм; локальный анализ элементного состава (1мкм2 ) методом энергодисперсионной спектрометрии (EDX); катодолюминесцентный анализ (CLD)
Измерительная установка «0.3K/7Тл» для измерения магнитотранспорта и его анизотропии в магнитном поле
Измерительная установка «0.3K/7Тл» для измерения магнитотранспорта и его анизотропии в магнитном поле
Измерительная установка «0.3K/7Тл» для измерения магнитотранспорта и его анизотропии в магнитном поле
Измерительная установка «0.3K/7Тл» для измерения магнитотранспорта и его анизотропии в магнитном поле
Назначение:
Измерения проводимости (DC, AC) в диапазоне температур 1.3-300 К (или 0.35-300К), полей до 15Т, с возможностью пошагового вращения образца (или камеры давления с образцом) в одной или двух плоскостях с минимальным шагом 3 мин
Установка "TOR" для напыления тонких металлических и диэлектрических пленок методом магнетронного распыления и электронно-лучевого испарения
Установка "TOR" для напыления тонких металлических и диэлектрических пленок методом магнетронного распыления и электронно-лучевого испарения
Установка "TOR" для напыления тонких металлических и диэлектрических пленок методом магнетронного распыления и электронно-лучевого испарения
Установка "TOR" для напыления тонких металлических и диэлектрических пленок методом магнетронного распыления и электронно-лучевого испарения
Назначение:
Магнетронное и электроннолучевое напыление пленок