Гетероструктурная СВЧ-электроника и физика широкозонных полупроводников
Контакты
115409, г. Москва, Каширское ш., д. 31
+7 (495) 788 56 99 доб. 8146

Центр коллективного пользования "Гетероструктурная СВЧ-электроника и физика широкозонных полупроводников" Национального исследовательского ядерного университета МИФИ создан с целью рационального и эффективного использования научно-исследовательского оборудования, закупаемого в рамках реализации программы развития НИЯУ МИФИ, федеральных целевых программ «Развитие инфраструктуры наноиндустрии», «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России» и из других источников. ЦКП является площадкой для отработки уникальных технологических операций формирования наногетероструктур соединений AIIIВV, нитридов III группы, дискретных приборов и СВЧ МИС на их основе.

Оборудование

Автоэмиссионный растровый электронный микроскоп с блоком нанолитографии Raith 150 TWO (Raith, Германия)
Автоэмиссионный растровый электронный микроскоп с блоком нанолитографии Raith 150 TWO (Raith, Германия)
Автоэмиссионный растровый электронный микроскоп с блоком нанолитографии Raith 150 TWO (Raith, Германия)
Автоэмиссионный растровый электронный микроскоп с блоком нанолитографии Raith 150 TWO (Raith, Германия)
Назначение:
Установка электронно-лучевой нанолитографии на основе автоэмиссионного растрового электронного микроскопа Raith 150 TWO предназначена как для электронной растровой микроскопии высокого разрешения (не хуже 2 - 5 нм), так и для проведения нанолитографии с размерами получаемых элементов не хуже 15 - 20 нм.
Аппарат для нанесения гальванических покрытий PGG 10_1,5 (Heimerle)
Аппарат для нанесения гальванических покрытий PGG 10_1,5 (Heimerle)
Аппарат для нанесения гальванических покрытий PGG 10_1,5 (Heimerle)
Аппарат для нанесения гальванических покрытий PGG 10_1,5 (Heimerle)
Назначение:
Системы для формирования конечных материалов
Большой фотомикроскоп отраженного света Neophot 30 (Carl Zeiss)
Большой фотомикроскоп отраженного света Neophot 30 (Carl Zeiss)
Большой фотомикроскоп отраженного света Neophot 30 (Carl Zeiss)
Большой фотомикроскоп отраженного света Neophot 30 (Carl Zeiss)
Назначение:
Предназначен для проведения общенаучных экспериментов в области микроскопии отраженного света
Измерительный комплекс полупроводниковых структур B1500A (Agilent Technologies)
Измерительный комплекс полупроводниковых структур B1500A (Agilent Technologies)
Измерительный комплекс полупроводниковых структур B1500A (Agilent Technologies)
Измерительный комплекс полупроводниковых структур B1500A (Agilent Technologies)
Назначение:
Измерительный комплекс на базе установок фирмы «Agilent» и зондовых станций «Cascade Microtech» предназначен для точного изменения статических ВАХ и сверхвысокочастотных S-параметров приборных структур непосредственно на пластине до разделения на кристаллы.
Инфракрасный Фурье спектрометр FTIR-8400S (Shimadzu)
Инфракрасный Фурье спектрометр FTIR-8400S (Shimadzu)
Инфракрасный Фурье спектрометр FTIR-8400S (Shimadzu)
Инфракрасный Фурье спектрометр FTIR-8400S (Shimadzu)
Назначение:
Определение характеристик экспериментальных образцов по форме их спектров в инфракрасной области.Спектральный диапазон 7800 – 350 см-1Разрешение 0,85 см-1Соотношение сигнал/шум > 20000:1
Комбинированная система нанесения и задубливания резиста Sawatec SM180   НР150 (Sawatec, Швейцария)
Комбинированная система нанесения и задубливания резиста Sawatec SM180 НР150 (Sawatec, Швейцария)
Комбинированная система нанесения и задубливания резиста Sawatec SM180   НР150 (Sawatec, Швейцария)
Комбинированная система нанесения и задубливания резиста Sawatec SM180 НР150 (Sawatec, Швейцария)
Назначение:
Предназначена для нанесения резистов на пластины путем вращения центрифуги со скоростью до 10 000 об/мин.
Комбинированный тандемный квадрупольно-времяпролетный масс-спектрометр 'QqTOF' (Sciex Applied Biosystems)
Комбинированный тандемный квадрупольно-времяпролетный масс-спектрометр 'QqTOF' (Sciex Applied Biosystems)
Комбинированный тандемный квадрупольно-времяпролетный масс-спектрометр 'QqTOF' (Sciex Applied Biosystems)
Комбинированный тандемный квадрупольно-времяпролетный масс-спектрометр 'QqTOF' (Sciex Applied Biosystems)
Назначение:
Предназначен для проведения общенаучных экспериментов в области квадрупольной масс-спектрометрии твердого тела
Комплекс измерений S-, X- параметров PNA-X N 5245A в полосе от 0,01 до 50 ГГц (Agilent Technologies)
Комплекс измерений S-, X- параметров PNA-X N 5245A в полосе от 0,01 до 50 ГГц (Agilent Technologies)
Комплекс измерений S-, X- параметров PNA-X N 5245A в полосе от 0,01 до 50 ГГц (Agilent Technologies)
Комплекс измерений S-, X- параметров PNA-X N 5245A в полосе от 0,01 до 50 ГГц (Agilent Technologies)
Назначение:
Измерительный комплекс на базе установок фирмы «Agilent» и зондовых станций «Cascade Microtech» предназначен для точного изменения статических ВАХ и сверхвысокочастотных S-параметров приборных структур непосредственно на пластине до разделения на кристаллы.
Масс-спектрометр X-Series-II с ионизацией в индуктивно-связанной плазме с системой лазерной абляции (New Wave Research)
Масс-спектрометр X-Series-II с ионизацией в индуктивно-связанной плазме с системой лазерной абляции (New Wave Research)
Масс-спектрометр X-Series-II с ионизацией в индуктивно-связанной плазме с системой лазерной абляции (New Wave Research)
Масс-спектрометр X-Series-II с ионизацией в индуктивно-связанной плазме с системой лазерной абляции (New Wave Research)
Назначение:
Предназначен для проведения общенаучных экспериментов в области индуктивной плазменной спектрометрии
Потенциостат-гальваностат P-30S (Elins)
Потенциостат-гальваностат P-30S (Elins)
Потенциостат-гальваностат P-30S (Elins)
Потенциостат-гальваностат P-30S (Elins)
Назначение:
Предназначен для электрохимических жидкостных и твердотельных систем при токах до 2 А и поляризующих напряжениях до 15 В.
Растровый электронный микроскоп DSM-960 (Opton) с рентгеновским энерго-дисперсионным анализатором Amptek (США) и сканирующим туннельным микроскопом Un-derSEM
Растровый электронный микроскоп DSM-960 (Opton) с рентгеновским энерго-дисперсионным анализатором Amptek (США) и сканирующим туннельным микроскопом Un-derSEM
Растровый электронный микроскоп DSM-960 (Opton) с рентгеновским энерго-дисперсионным анализатором Amptek (США) и сканирующим туннельным микроскопом Un-derSEM
Растровый электронный микроскоп DSM-960 (Opton) с рентгеновским энерго-дисперсионным анализатором Amptek (США) и сканирующим туннельным микроскопом Un-derSEM
Назначение:
Предназначен для анализа морфологии поверхности образцов, тонких пленок. Исследование дефектов интегральных микросхем. Проведение экспресс-анализа элементного состава образцов. Во всех областях промышленности и науки, где требуются исследования внутренней структуры образцов и анализ элементного состава.
Рентгеновский дифрактометр Ultima IV (Rigaku)
Рентгеновский дифрактометр Ultima IV (Rigaku)
Рентгеновский дифрактометр Ultima IV (Rigaku)
Рентгеновский дифрактометр Ultima IV (Rigaku)
Назначение:
Оборудование для рентгеновской дифракции. Анализ тонких пленок. Фазовый анализ, степень кристалличности, размер кристаллитов, анализ остаточных напряжений, прецизионные измерения параметров решетки, оценка толщины пленки (рефлектометрия), текстурный анализ (ориентация зерен, подложки), качество интерфейса.
Сверхвысоковакуумная система анализа поверхности Multiprobe MXPS (Omicron) с источником осаждения нанокластеров Nanogen-50 и квадрупольным масс-фильтром MesoQ (Mantis Deposition Ltd., Великобритания)
Сверхвысоковакуумная система анализа поверхности Multiprobe MXPS (Omicron) с источником осаждения нанокластеров Nanogen-50 и квадрупольным масс-фильтром MesoQ (Mantis Deposition Ltd., Великобритания)
Сверхвысоковакуумная система анализа поверхности Multiprobe MXPS (Omicron) с источником осаждения нанокластеров Nanogen-50 и квадрупольным масс-фильтром MesoQ (Mantis Deposition Ltd., Великобритания)
Сверхвысоковакуумная система анализа поверхности Multiprobe MXPS (Omicron) с источником осаждения нанокластеров Nanogen-50 и квадрупольным масс-фильтром MesoQ (Mantis Deposition Ltd., Великобритания)
Назначение:
Предназначен для проведения общенаучных экспериментов в области наноэлектроники, нанометрологии. Исследование морфологии, электронной структуры и химического состава нанокластеров металлов, углеродных волокон.
Сверхвысоковакуумный комплекс (Kratos Analytical Ltd.) с модулем ИЛО для формирования и in situ анализа нанокластеров и сверхтонких слоев на базе электронного спектрометра XSAM-800
Сверхвысоковакуумный комплекс (Kratos Analytical Ltd.) с модулем ИЛО для формирования и in situ анализа нанокластеров и сверхтонких слоев на базе электронного спектрометра XSAM-800
Сверхвысоковакуумный комплекс (Kratos Analytical Ltd.) с модулем ИЛО для формирования и in situ анализа нанокластеров и сверхтонких слоев на базе электронного спектрометра XSAM-800
Сверхвысоковакуумный комплекс (Kratos Analytical Ltd.) с модулем ИЛО для формирования и in situ анализа нанокластеров и сверхтонких слоев на базе электронного спектрометра XSAM-800
Назначение:
Вторично-ионные масс-спектрометры для анализа поверхности
Система безмасковой лазерной литографии DWL 66FS (Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH)
Система безмасковой лазерной литографии DWL 66FS (Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH)
Система безмасковой лазерной литографии DWL 66FS (Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH)
Система безмасковой лазерной литографии DWL 66FS (Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH)
Назначение:
Система лазерной литографии.Минимальный топологический размер до 0,6 мкм; дискретность адресной сетки до 25,4 нм;скорость экспонирования для области 100×100 мм – до 416 мм2/мин.
Система измерения удельного поверхностного сопротивления напылённых слоев RMS-EL-Z (Jandel Engineering)
Система измерения удельного поверхностного сопротивления напылённых слоев RMS-EL-Z (Jandel Engineering)
Система измерения удельного поверхностного сопротивления напылённых слоев RMS-EL-Z (Jandel Engineering)
Система измерения удельного поверхностного сопротивления напылённых слоев RMS-EL-Z (Jandel Engineering)
Назначение:
Система измерения сопротивления образцов полупроводников четырехзондовым методом. Диапазон изменения тока: 10 нА – 99,99 мА, имеется возможность переключения направления тока для проверки омичности контактов.
Система измерения эффекта Холла HMS-3000 (Ecopia)
Система измерения эффекта Холла HMS-3000 (Ecopia)
Система измерения эффекта Холла HMS-3000 (Ecopia)
Система измерения эффекта Холла HMS-3000 (Ecopia)
Назначение:
Предназначен для измерения магнитных свойств исследуемых образцов. Измеряемые параметры:- объемная и слоевая концентрация носителей заряда;- удельное сопротивление;- подвижность, коэффициент Холла;- магнетосопротивление.
Системы электро-лучевого напыления тонких пленок PVD 250 (Kurt J. Lesker Company)
Системы электро-лучевого напыления тонких пленок PVD 250 (Kurt J. Lesker Company)
Системы электро-лучевого напыления тонких пленок PVD 250 (Kurt J. Lesker Company)
Системы электро-лучевого напыления тонких пленок PVD 250 (Kurt J. Lesker Company)
Назначение:
Напыление тонких пленок металлов в условиях высокого вакуума. Установки обладают широкими возможностями для получения покрытий из большинства применяемых в технологии микроэлектроники металлов (Ni, Ti, Al, Pt, Pd, V, Ta, Ge, Au, Cr, Cu) методами термического вакуумного, магнетронного и электронно-лучевого испарения.
Сканирующий зондовый микроскоп 'СОЛВЕР НЕКСТ' (НТ-МДТ)
Сканирующий зондовый микроскоп 'СОЛВЕР НЕКСТ' (НТ-МДТ)
Сканирующий зондовый микроскоп 'СОЛВЕР НЕКСТ' (НТ-МДТ)
Сканирующий зондовый микроскоп 'СОЛВЕР НЕКСТ' (НТ-МДТ)
Назначение:
Топография, отображение фазы, атомная энергетика, электроника, исследовательское оборудование. Исследование твердотельных органических и биологических наноструктурированных материалов, объектов и систем. Проведение исследований с помощью наносклерометрического модуля.
Спектрометрический комплекс на основе монохроматора МДР-41 (ЛОМО)
Спектрометрический комплекс на основе монохроматора МДР-41 (ЛОМО)
Спектрометрический комплекс на основе монохроматора МДР-41 (ЛОМО)
Спектрометрический комплекс на основе монохроматора МДР-41 (ЛОМО)
Назначение:
Спектрометрический комплекс предназначен для регистрации спектральных характеристик источников излучения и фотоприемников, измерения спектров пропускания, зеркального и диффузного рассеяния, регистрации спектров фото- и электролюминесценции экспериментальных образцов в диапазоне длин волн от 250 до 1200 нм.
Спектроскопический эллипсометр PHE-102 (Angstrom Advanced Inc.)
Спектроскопический эллипсометр PHE-102 (Angstrom Advanced Inc.)
Спектроскопический эллипсометр PHE-102 (Angstrom Advanced Inc.)
Спектроскопический эллипсометр PHE-102 (Angstrom Advanced Inc.)
Назначение:
Мощный и универсальный эллипсометр для проведения исследований широкого круга материалов: диэлектрики, полимеры, полупроводники, металлы, многослойные структуры. Позволяет работать в широком диапазоне длин волн (250 - 1100 нм) с высоким спектральным разрешением.
Спектроскопический эллипсометр SE 850 (SENTCH)
Спектроскопический эллипсометр SE 850 (SENTCH)
Спектроскопический эллипсометр SE 850 (SENTCH)
Спектроскопический эллипсометр SE 850 (SENTCH)
Назначение:
Мощный и универсальный эллипсометр для проведения исследований широкого круга материалов: диэлектрики, полимеры, полупроводники, металлы, многослойные структуры. Он позволяет работать в широком диапазоне длин волн (250 - 1700 нм) с высоким спектральным разрешением.
Установка быстрого термического отжига Modular RTP600S (Modular Process Technology Corp.)
Установка быстрого термического отжига Modular RTP600S (Modular Process Technology Corp.)
Установка быстрого термического отжига Modular RTP600S (Modular Process Technology Corp.)
Установка быстрого термического отжига Modular RTP600S (Modular Process Technology Corp.)
Назначение:
Быстрый термический отжиг, высокотемпературный постимплантационный отжиг, отжиг металлических контактов и пленок, получение оксидных пленок.Поддерживаемый размер пластин 2 – 6 дюймов.Рабочий диапазон температур 250 – 1300°С.Точность поддержания температуры ± 2°С.Скорость изменения температуры 1 – 200°С/сек.
Установка для исследования эффекта Холла HMS-5000 (Ecopia)
Установка для исследования эффекта Холла HMS-5000 (Ecopia)
Установка для исследования эффекта Холла HMS-5000 (Ecopia)
Установка для исследования эффекта Холла HMS-5000 (Ecopia)
Назначение:
Обеспечивает измерение в автоматизированном режиме вольт-амперных характеристик контактов, концентрации носителей тока, подвижности носителей тока, удельного сопротивления образца. Измеряемые параметры:- объемная и слоевая концентрация носителей заряда;- удельное сопротивление;- подвижность, коэффициент Холла;- магнетосопротивление.
Установка для плазмохимического осаждения из газовой фазы LPX PECVD (SPP Process Technology Systems)
Установка для плазмохимического осаждения из газовой фазы LPX PECVD (SPP Process Technology Systems)
Установка для плазмохимического осаждения из газовой фазы LPX PECVD (SPP Process Technology Systems)
Установка для плазмохимического осаждения из газовой фазы LPX PECVD (SPP Process Technology Systems)
Назначение:
Осаждение SiNx, SiO2 из газовой фазы на подложки с использованием плазменного разложения реакционного газа.
Установка для термического вакуумного напыления РVD-75 (Kurt J. Lesker Company)
Установка для термического вакуумного напыления РVD-75 (Kurt J. Lesker Company)
Установка для термического вакуумного напыления РVD-75 (Kurt J. Lesker Company)
Установка для термического вакуумного напыления РVD-75 (Kurt J. Lesker Company)
Назначение:
Напыление тонких пленок металлов в условиях высокого вакуума. Установки обладают широкими возможностями для получения покрытий из большинства применяемых в технологии микроэлектроники металлов (Ni, Ti, Al, Pt, Pd, V, Ta, Ge, Au, Cr, Cu) методами термического вакуумного, магнетронного и электронно-лучевого испарения.
Установка контактной литографии микросхем Suss MJB4 (SUSS MicroTec)
Установка контактной литографии микросхем Suss MJB4 (SUSS MicroTec)
Установка контактной литографии микросхем Suss MJB4 (SUSS MicroTec)
Установка контактной литографии микросхем Suss MJB4 (SUSS MicroTec)
Назначение:
Установка совмещения и экспонирования для контактной литографии базового уровня.Экспонирование высокого разрешения - до 0,5 микрон.Размер обработки пластин - до 100 мм.Специальные держатели для кусков пластин.
Установка молекулярно-лучевой эпитаксии GEN-930 (Veeco)
Установка молекулярно-лучевой эпитаксии GEN-930 (Veeco)
Установка молекулярно-лучевой эпитаксии GEN-930 (Veeco)
Установка молекулярно-лучевой эпитаксии GEN-930 (Veeco)
Назначение:
Установка молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) предназначена для проведения процессов роста нитридных эпитаксиальных структур в условия сверхвысокого вакуума. Получение: HEMT-наногетероструктур Al(In)GaN/GaN на подложках Al2O3, SiC, Si диаметром 2 или 3 дюйма.
Установка плазменного травления, плазменной очистки и активации поверхности NANO-UHP (Diener Electronic GmbH)
Установка плазменного травления, плазменной очистки и активации поверхности NANO-UHP (Diener Electronic GmbH)
Установка плазменного травления, плазменной очистки и активации поверхности NANO-UHP (Diener Electronic GmbH)
Установка плазменного травления, плазменной очистки и активации поверхности NANO-UHP (Diener Electronic GmbH)
Назначение:
Оборудование и установки для травления. Подготовка для аналитика (REM, TEM), электротехника, техника обработки пластмасс, техника эластомеров.
Установка плазмохимического реактивно-ионного травления SPTS LPX ICP (SPP Process Technology Systems)
Установка плазмохимического реактивно-ионного травления SPTS LPX ICP (SPP Process Technology Systems)
Установка плазмохимического реактивно-ионного травления SPTS LPX ICP (SPP Process Technology Systems)
Установка плазмохимического реактивно-ионного травления SPTS LPX ICP (SPP Process Technology Systems)
Назначение:
Установка предназначена для проведения реактивного ионного травления многослойных гетероструктур нитридов алюминия - галлия – индия на подложках лейкосапфира или карбида кремния. Травления сквозных отверстий в подложках фосфида индия и арсенида галлия.
Установка эпитаксии из газовой фазы Epic CVD (SMI)
Установка эпитаксии из газовой фазы Epic CVD (SMI)
Установка эпитаксии из газовой фазы Epic CVD (SMI)
Установка эпитаксии из газовой фазы Epic CVD (SMI)
Назначение:
Установка предназначена для эпитаксиального роста пленок карбида кремния на подложках диаметром 3 дюйма методом химического осаждения из газовой фазы.