Гетероструктурная СВЧ-электроника и физика широкозонных полупроводников
Контакты
115409, г. Москва, Каширское ш., д. 31
+7 (495) 788 56 99 доб. 8146

Центр коллективного пользования "Гетероструктурная СВЧ-электроника и физика широкозонных полупроводников" Национального исследовательского ядерного университета МИФИ создан с целью рационального и эффективного использования научно-исследовательского оборудования, закупаемого в рамках реализации программы развития НИЯУ МИФИ, федеральных целевых программ «Развитие инфраструктуры наноиндустрии», «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России» и из других источников. ЦКП является площадкой для отработки уникальных технологических операций формирования наногетероструктур соединений AIIIВV, нитридов III группы, дискретных приборов и СВЧ МИС на их основе.

Услуги

Исследование экспериментальных образцов методом рентгеновской дифрактометрии
Приоритетное направление:
Индустрия наносистем
Исследование тонкопленочных образцов методом спектральной эллипсометрии
Приоритетное направление:
Индустрия наносистем
Исследование морфологии поверхности экспериментальных образцов методом растровой электронной микроскопии
Приоритетное направление:
Индустрия наносистем
Исследование тонких пленок методом ИК-Фурье спектрометрии
Приоритетное направление:
Индустрия наносистем
Измерение электрофизических параметров полупроводниковых структур методом изучения эффекта Холла
Приоритетное направление:
Индустрия наносистем
Определение элементного и химического состава поверхностных слоев (1-10 нм) твердотельных образцов методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС)
Приоритетное направление:
Индустрия наносистем
Определения элементного состава поверхностных слоев твердотельных образцов методом Оже-электронной спектроскопии (ОЭС)
Приоритетное направление:
Индустрия наносистем
Определения локального элементного состава приповерхностных слоев (~1 мкм) твердотельных образцов методом рентгеновского энергодисперсионного микроанализа (РМА)
Приоритетное направление:
Индустрия наносистем
Определение морфологии поверхности образцов методом сканирующей зондовой микроскопии
Приоритетное направление:
Индустрия наносистем
Формирование in situ и исследование электронных характеристик систем нанокластеров металлов
Приоритетное направление:
Индустрия наносистем
Исследование перехода металл-неметалл в нанокластерах ряда 3d металлов на основе оже-перехода Костера-Кронига
Приоритетное направление:
Науки о жизни
Получение эпитаксиальных слоев карбида кремния и родственных широкозонных материалов методом эпитаксии из газовой фазы
Приоритетное направление:
Индустрия наносистем
Измерение удельного сопротивления слоев
Приоритетное направление:
Индустрия наносистем