Установка молекулярно-лучевой эпитаксии для изучения начальных стадий роста тонких пленок
Контакты
119333, г. Москва, Ленинский пр-т, д. 59
+7 (903) 015 85 36

Установка оснащена встроенным масс-спектрометром и дифрактометром быстрых электронов и позволяет изучать поверхностные процессы на начальных стадиях роста плёнки, на различных подложках. Вакуумная часть обеспечивает поддержку средствами безмасляной откачки сверхвысокий вакуум (10-8 Торр), а система держателей, шиберов и шлюзов позволяет не нарушать вакуум при смене образца. Установка оснащена тремя источниками молекулярных пучков.

Направления научной деятельности

Направления научных исследований, проводимых в ЦКП.

  • Исследование и понимание закономерностей процессов роста плёнок (появление островков, их разрастание, плотность ступеней, скорость их движения, плотность изломов на ступенях и т. д.)
  • Получение наноструктур на специально приготовленных поверхностях (позволит задавать условия выращивания необходимых наноструктур с требуемыми свойствами, как для производства детекторов радиоактивного и инфракрасного излучения, тензо и термопреобразователей, матричных элементов для рентгеновской томографии, так и для изготовления экспериментальных образцов приборов нового поколения).